玻璃是构成MEMS的重要材料,但存在蚀刻速率非常慢的问题。 使用玻璃底板的晶圆级封装,需要在玻璃上开出细孔以取出布线。但众所周知,一般玻璃是很难开孔的。这是因为,玻璃不是结晶物质,因此不能使用结晶各向异性蚀刻。而湿蚀刻又具有各向同性。要在厚500μm的玻璃板上开出直径为100μm的孔,则向深度方向掘500μm时,也会横向推进500μm,导致形成1mm左右的孔。 图1是一种用于加工玻璃及水晶的Deep RIE装置。该装置将基于ICP的高密度等离子装置与磁电管RIE集于一体。 要提高蚀刻速率,只要不断丢弃反应生成物即可,基于这一考虑,在小型腔体上配备了大型涡轮分子泵。并且,由于设定了高底板偏压,离子会物理性撞击底板,掩模同时也会遭到损坏。但如果考虑使用Ni镀膜或者类似SU-8的较厚光刻胶来作掩模,仍勉强可以蚀刻。即便如此蚀刻速度也只有0.5μm/分。而Si可达到10μm/分的水平。 玻璃存在蚀刻速率慢这一大问题。如果速度是0.5μm/分,则100分钟的蚀刻深度也只有50μm。6英寸晶圆时,无法处理直径15cm、厚50μm的超薄玻璃。因此,使用了如下技术(图2)。 首先,在玻璃底板上镀Ni形成厚掩模,利用上述的Deep RIE开出50μm的孔。然后,将玻璃底板翻转,在与加工好的Si底板对准位置的同时接合阳极。然后,从背面研磨玻璃底板。这时,由于事先已经与Si基板接合,因此玻璃无论研磨得再薄也不会碎。之后,以表面涂层性良好的CVD形成Cu电极,在多层陶瓷底板上进行倒装芯片焊接。最后,通过进行Si的掺杂物浓度依存性选择蚀刻,便可形成LSI测试用的触点。 |






|手机版|搜索|焦点光学|光电工程师社区
( 鄂ICP备17021725号-1 鄂网安备42011102000821号 )
Copyright 2015 光电工程师社区 版权所有 All Rights Reserved.
申明:本站为非盈利性公益个人网站,已关闭注册功能,本站所有内容均为网络收集整理,不代表本站立场。如您对某些内容有质疑或不快,请及时联系我们处理!
© 2001-2022 光电工程师社区 网站备案号:鄂ICP备17021725号 网站公安备案号:鄂42011102000821号 Powered by Discuz! X3.2
GMT+8, 2025-12-28 21:04